홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF 트랜지스터(BJT) » 2SC5551AE-TD-E

ON Semiconductor 2SC5551AE-TD-E

2SC5551AE-TD-E
제조업체 부품 번호
2SC5551AE-TD-E
제조업 자
제품 카테고리
RF 트랜지스터(BJT)
간단한 설명
TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SC5551AE-TD-E 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 555.98400
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SC5551AE-TD-E 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. 2SC5551AE-TD-E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SC5551AE-TD-E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SC5551AE-TD-E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SC5551AE-TD-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SC5551AE-TD-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SC5551A
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF 트랜지스터(BJT)
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)30V
주파수 - 트랜지션3.5GHz
잡음 지수(dB 통상 @ f)-
이득-
전력 - 최대1.3W
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce90 @ 50mA, 5V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)300mA
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지PCP
표준 포장 1,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SC5551AE-TD-E
관련 링크2SC5551A, 2SC5551AE-TD-E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
2SC5551AE-TD-E 의 관련 제품
2700pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) K272K20C0GF5TL2.pdf
RES SMD 21.5K OHM 1/16W 0402 RT0402CRD0721K5L.pdf
RES 5.9 OHM 1/2W 1% AXIAL CMF555R9000FKR6.pdf
MTSOTLT2G53BAL15 AMD SMD or Through Hole MTSOTLT2G53BAL15.pdf
PE-68822CR PULSE SOP-12 PE-68822CR.pdf
TL084BCJ TI DIP TL084BCJ.pdf
2012W ORIGINAL SOP-8 2012W.pdf
CMR1F-06M CENTRAL SMA CMR1F-06M.pdf
CL21C121JBNC SAMSUNG SMD or Through Hole CL21C121JBNC.pdf
GB6NC60HD ST TO-263 GB6NC60HD.pdf
ZP10000A1800V SanRexPak SMD or Through Hole ZP10000A1800V.pdf