창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SC5200N(S1,E,S) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2SC5200N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 15A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 230V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 5µA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V | |
전력 - 최대 | 150W | |
주파수 - 트랜지션 | 30MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P(N) | |
표준 포장 | 150 | |
다른 이름 | 2SC5200N(S1ES) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2SC5200N(S1,E,S) | |
관련 링크 | 2SC5200N(, 2SC5200N(S1,E,S) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
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![]() | MKP385336125JF02W0 | 0.036µF Film Capacitor 450V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | MKP385336125JF02W0.pdf | |
![]() | SMBJ15CA | TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMB | SMBJ15CA.pdf | |
![]() | 416F26011ATT | 26MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26011ATT.pdf | |
![]() | RC1218FK-0737R4L | RES SMD 37.4 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218FK-0737R4L.pdf | |
![]() | RG3216V-5360-B-T5 | RES SMD 536 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-5360-B-T5.pdf | |
![]() | LNK302P | LNK302P POWER DIP-8 | LNK302P.pdf | |
![]() | XC3090TM-100PG175 | XC3090TM-100PG175 XILINX PGA | XC3090TM-100PG175.pdf | |
![]() | 3631B561KT | 3631B561KT TYCO SMD | 3631B561KT.pdf | |
![]() | DS2704RG | DS2704RG MAXIM TDFN-8 | DS2704RG.pdf | |
![]() | ESG51PTJ5182B 4000 | ESG51PTJ5182B 4000 ORIGINAL SMD or Through Hole | ESG51PTJ5182B 4000.pdf | |
![]() | HSA1022RJ-NR | HSA1022RJ-NR TYCO SMD or Through Hole | HSA1022RJ-NR.pdf |