홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF 트랜지스터(BJT) » 2SC5087-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5087-O(TE85L,F)

2SC5087-O(TE85L,F)
제조업체 부품 번호
2SC5087-O(TE85L,F)
제조업 자
제품 카테고리
RF 트랜지스터(BJT)
간단한 설명
TRANS RF NPN 12V 1MHZ SMQ
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SC5087-O(TE85L,F) 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 126.27000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SC5087-O(TE85L,F) 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. 2SC5087-O(TE85L,F) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SC5087-O(TE85L,F)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SC5087-O(TE85L,F) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SC5087-O(TE85L,F) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SC5087-O(TE85L,F)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SC5087
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF 트랜지스터(BJT)
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황견적 필요
트랜지스터 유형NPN
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)12V
주파수 - 트랜지션7GHz
잡음 지수(dB 통상 @ f)1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
이득-
전력 - 최대150mW
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 20mA, 10V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)80mA
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-61AA
공급 장치 패키지SMQ
표준 포장 3,000
다른 이름2SC5087-O(TE85LF)TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SC5087-O(TE85L,F)
관련 링크2SC5087-O(, 2SC5087-O(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
2SC5087-O(TE85L,F) 의 관련 제품
330µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C LGN2V331MELZ45.pdf
6.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) 06031A6R2DAQ2A.pdf
NRS225K20R8 NEC SMD or Through Hole NRS225K20R8.pdf
F840W18B INTEL QFN F840W18B.pdf
TA1279S TOSHIBA SIP TA1279S.pdf
PAPST2 NEC SOP PAPST2.pdf
B1116 FAILCHILD TO-92 B1116.pdf
BLX22 ORIGINAL SMD or Through Hole BLX22.pdf
BC807-40 / 5C Philips Sot-23 BC807-40 / 5C.pdf
H9620 HP DIP H9620.pdf
OP580 OPTEK SMD or Through Hole OP580.pdf