홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF 트랜지스터(BJT) » 2SC3356-T1B-R25-A

CEL 2SC3356-T1B-R25-A

2SC3356-T1B-R25-A
제조업체 부품 번호
2SC3356-T1B-R25-A
제조업 자
제품 카테고리
RF 트랜지스터(BJT)
간단한 설명
SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SC3356-T1B-R25-A 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 639.99933
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SC3356-T1B-R25-A 재고가 있습니다. 우리는 CEL 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 CEL 전자 부품 전문. 2SC3356-T1B-R25-A 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SC3356-T1B-R25-A가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SC3356-T1B-R25-A 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SC3356-T1B-R25-A 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SC3356-T1B-R25-A
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NE85633, 2SC3356
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF 트랜지스터(BJT)
제조업체CEL
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황신제품
트랜지스터 유형NPN
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)12V
주파수 - 트랜지션7GHz
잡음 지수(dB 통상 @ f)1.1dB @ 1GHz
이득11.5dB
전력 - 최대200mW
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SC3356-T1B-R25-A
관련 링크2SC3356-T1, 2SC3356-T1B-R25-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통
2SC3356-T1B-R25-A 의 관련 제품
5600µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C ELBG250ELL562ALN3S.pdf
0.82µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) 18255C824KAT2A.pdf
10mH Shielded Wirewound Inductor 90mA 26 Ohm Max Nonstandard SRR0908-103YL.pdf
RES SMD 5.11 OHM 1% 1/16W 0402 RC0402FR-075R11L.pdf
S21C CH SOT-23 S21C.pdf
8247GI ORIGINAL SMD or Through Hole 8247GI.pdf
BTBF5-02005-TPFO ORIGINAL SMD or Through Hole BTBF5-02005-TPFO.pdf
CY7C0430BV-133BG1 CY BGA CY7C0430BV-133BG1.pdf
UPA64HA · NEC ZIP-7 UPA64HA ·.pdf
L2520-220K TAIWAN 1210 L2520-220K.pdf
HYB25DC25616OCF ORIGINAL QFP HYB25DC25616OCF.pdf
AM29F040B-70PI AMD DIP AM29F040B-70PI.pdf