창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SB1122S-TD-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SB1122/2SD1622 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | PCP | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 2SB1122S-TD-E-ND 2SB1122S-TD-EOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SB1122S-TD-E | |
| 관련 링크 | 2SB1122, 2SB1122S-TD-E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| FR85JR05 | DIODE GEN PURP REV 600V 85A DO5 | FR85JR05.pdf | ||
![]() | FSFR1700HSL | Converter Offline Half-Bridge Topology Up to 600kHz 9-SIP (L forming) | FSFR1700HSL.pdf | |
![]() | MB90099PFV-G-139-ERE1 | MB90099PFV-G-139-ERE1 FUJ SMD or Through Hole | MB90099PFV-G-139-ERE1.pdf | |
![]() | C805F015 | C805F015 ORIGINAL QFP | C805F015.pdf | |
![]() | W541C2603600 | W541C2603600 WINBOND SMD or Through Hole | W541C2603600.pdf | |
![]() | HZS6C1TA-E | HZS6C1TA-E RENESA SMD or Through Hole | HZS6C1TA-E.pdf | |
![]() | GC0J337M0806B | GC0J337M0806B SAMWHA SMD or Through Hole | GC0J337M0806B.pdf | |
![]() | T034 | T034 TI TSSOP14 | T034.pdf | |
![]() | LM358ADGKRG4(M6S) | LM358ADGKRG4(M6S) ORIGINAL MSOP | LM358ADGKRG4(M6S).pdf | |
![]() | 851.B | 851.B ORIGINAL SMD or Through Hole | 851.B.pdf | |
![]() | NJM79L12UA-#ZZZB | NJM79L12UA-#ZZZB JRC SMD or Through Hole | NJM79L12UA-#ZZZB.pdf | |
![]() | MSM30R0050-040G3-K(PD8112) | MSM30R0050-040G3-K(PD8112) OKI QFP144 | MSM30R0050-040G3-K(PD8112).pdf |