창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N7002W-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N7002W Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 115mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 50mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 2N7002WDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N7002W-7 | |
| 관련 링크 | 2N700, 2N7002W-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CMR04F151FPDM | CMR MICA | CMR04F151FPDM.pdf | |
![]() | RE1206DRE0716K5L | RES SMD 16.5K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE0716K5L.pdf | |
![]() | RC4558DGKR | RC4558DGKR TI SMD or Through Hole | RC4558DGKR.pdf | |
![]() | SMM0204-MS1 50 3K32 1% B3 | SMM0204-MS1 50 3K32 1% B3 VISHAY Call | SMM0204-MS1 50 3K32 1% B3.pdf | |
![]() | EB2-3NUH-L | EB2-3NUH-L NECELECTRONICS ORIGINAL | EB2-3NUH-L.pdf | |
![]() | CXD1161M-C | CXD1161M-C SONY SOP-20P | CXD1161M-C.pdf | |
![]() | 20K100QI208 | 20K100QI208 ORIGINAL SMD or Through Hole | 20K100QI208.pdf | |
![]() | LT1319IS | LT1319IS LT SOP | LT1319IS.pdf | |
![]() | VND14NV04BTR | VND14NV04BTR ORIGINAL SMD or Through Hole | VND14NV04BTR.pdf | |
![]() | C0603NPO122J | C0603NPO122J ORIGINAL SMD or Through Hole | C0603NPO122J.pdf | |
![]() | RTH0023 | RTH0023 REALTEK DIP-20 | RTH0023.pdf | |
![]() | EXM893 | EXM893 SANYO HYB | EXM893.pdf |