창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N7002VA-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N7002V, VA Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 280mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 50mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 2N7002VADITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N7002VA-7 | |
관련 링크 | 2N7002, 2N7002VA-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | K390K10C0GF5TH5 | 39pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K390K10C0GF5TH5.pdf | |
![]() | MEMO/V1.00R02 | MEMO/V1.00R02 PER SOP20 | MEMO/V1.00R02.pdf | |
![]() | TLP253G | TLP253G TOSHIBA DIP8 | TLP253G.pdf | |
![]() | C3216C0G1H101JT | C3216C0G1H101JT TDK SMD | C3216C0G1H101JT.pdf | |
![]() | HD74HC1G66CME | HD74HC1G66CME HITACHI SOT-353 | HD74HC1G66CME.pdf | |
![]() | BG4 | BG4 intersil SMD or Through Hole | BG4.pdf | |
![]() | ADJ-B | ADJ-B ALPHA TO.223-3 | ADJ-B.pdf | |
![]() | RE2-400V100M | RE2-400V100M ELNA DIP | RE2-400V100M.pdf | |
![]() | LPC662I MDC | LPC662I MDC NS SMD or Through Hole | LPC662I MDC.pdf | |
![]() | FQAF26N30 | FQAF26N30 FAIRCHILD SMD or Through Hole | FQAF26N30.pdf | |
![]() | KIA44Z | KIA44Z KIA TO252TO220 | KIA44Z.pdf | |
![]() | 4N25S1 | 4N25S1 EVERLIG SMD or Through Hole | 4N25S1.pdf |