창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N7002T-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N7002T Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 115mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 50mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-523 | |
공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 2N7002T-FDITR 2N7002T7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N7002T-7-F | |
관련 링크 | 2N7002, 2N7002T-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
CMF55145K00BER670 | RES 145K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55145K00BER670.pdf | ||
200503246 | 200503246 Amphenol SMD or Through Hole | 200503246.pdf | ||
133.1106.342 | 133.1106.342 ORIGINAL SSOP-32 | 133.1106.342.pdf | ||
B15A45VIC-U/P | B15A45VIC-U/P ORIGINAL SMD or Through Hole | B15A45VIC-U/P.pdf | ||
1.10107.011/0301 | 1.10107.011/0301 RAFIGMBH SMD or Through Hole | 1.10107.011/0301.pdf | ||
BQ24700 | BQ24700 TI SSOP | BQ24700.pdf | ||
2SK1588N | 2SK1588N NEC SMD or Through Hole | 2SK1588N.pdf | ||
ISPLSI2128VE100LTN176 | ISPLSI2128VE100LTN176 LATTICE TQFP | ISPLSI2128VE100LTN176.pdf | ||
1008 3300NH | 1008 3300NH ORIGINAL SMD or Through Hole | 1008 3300NH.pdf | ||
CS812382 | CS812382 ORIGINAL SOP | CS812382.pdf | ||
KLM8G4DEFD-A301 | KLM8G4DEFD-A301 SAMSUNG BGA | KLM8G4DEFD-A301.pdf |