창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N7002P,235 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Discrete Semiconductor Selection Guide 2N7002P Datasheet | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 360mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 2N7002P,235-ND 2N7002P235 568-11588-2 934064132235 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N7002P,235 | |
| 관련 링크 | 2N7002, 2N7002P,235 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 04023U1R5CAT2A | 1.5pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04023U1R5CAT2A.pdf | |
![]() | TNPU1206332KAZEN00 | RES SMD 332K OHM 0.05% 1/4W 1206 | TNPU1206332KAZEN00.pdf | |
![]() | CMF55237R00DHEA | RES 237 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF55237R00DHEA.pdf | |
![]() | SG2843DM | SG2843DM MSC SMD or Through Hole | SG2843DM.pdf | |
![]() | WM8753LGEFLL | WM8753LGEFLL WM QFN | WM8753LGEFLL.pdf | |
![]() | TMS966 | TMS966 N/A BGA | TMS966.pdf | |
![]() | NM27C256BQE | NM27C256BQE NS DIP | NM27C256BQE.pdf | |
![]() | ICS602MT | ICS602MT ICS SMD or Through Hole | ICS602MT.pdf | |
![]() | MR27V802D-A9TPZ010 | MR27V802D-A9TPZ010 N/A QFP | MR27V802D-A9TPZ010.pdf | |
![]() | RR1632P-4990-B | RR1632P-4990-B SUSUMU SMD | RR1632P-4990-B.pdf | |
![]() | HZM6.2ZWATR NOPB | HZM6.2ZWATR NOPB HITACHI SOT23-5 | HZM6.2ZWATR NOPB.pdf | |
![]() | 500R48E106ZV4E | 500R48E106ZV4E JOHANSON SMD | 500R48E106ZV4E.pdf |