창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N7002BKMB,315 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N7002BKMB Datasheet | |
주요제품 | NXP - RDS(on) MOSFETs in Ultra-Small Packages | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 Leadframe Material Update 20/Mar/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 450mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6옴 @ 450mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 360mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-DFN1006B(.60x1) | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 2N7002BKMB,315-ND 568-10438-2 934065862315 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N7002BKMB,315 | |
관련 링크 | 2N7002BK, 2N7002BKMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
LGU2W121MELA | 120µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | LGU2W121MELA.pdf | ||
EGP10F | DIODE GEN PURP 300V 1A DO41 | EGP10F.pdf | ||
EWT100JB150R | RES CHAS MNT 150 OHM 5% 100W | EWT100JB150R.pdf | ||
TA810PW270RJ | RES 270 OHM 10W 5% RADIAL | TA810PW270RJ.pdf | ||
MT2800N | MT2800N MT DIP8 | MT2800N.pdf | ||
T20-24SMD | T20-24SMD ORIGINAL SMD or Through Hole | T20-24SMD.pdf | ||
HM28F010-286DI | HM28F010-286DI AMD SMD or Through Hole | HM28F010-286DI.pdf | ||
HVC417CTRU | HVC417CTRU HITACHI SOD-523 | HVC417CTRU.pdf | ||
BU6287KVT | BU6287KVT NEC TQFP-80 | BU6287KVT.pdf | ||
OPA2340AU | OPA2340AU BB SOP-8 | OPA2340AU.pdf | ||
39FXLXRSM1-S-H-TB | 39FXLXRSM1-S-H-TB JST SMD or Through Hole | 39FXLXRSM1-S-H-TB.pdf | ||
FBMJ1608HM470-T | FBMJ1608HM470-T TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | FBMJ1608HM470-T.pdf |