Diodes Incorporated 2N7002-7-F

2N7002-7-F
제조업체 부품 번호
2N7002-7-F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
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내부 부품 번호EIS-2N7002-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2N7002 Datasheet
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Bond Wire 22/Sept/2008
Green Encapsulate 15/May/2008
Bond Wire 11/Nov/2011
PCN 조립/원산지Plating Site Addition 29/Jul/2015
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
카탈로그 페이지 1572 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C115mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.5옴 @ 50mA, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds50pF @ 25V
전력 - 최대370mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3
표준 포장 3,000
다른 이름2N7002-FDITR
2N70027F
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2N7002-7-F
관련 링크2N7002, 2N7002-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
2N7002-7-F 의 관련 제품
30MHz ±10ppm 수정 10pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 425F11A030M0000.pdf
24.576MHz LVCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 12mA Enable/Disable SG-615PCG 24.5760MB0: ROHS.pdf
TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723 DTC144WM3T5G.pdf
XRC54IIA EXAR DIP XRC54IIA.pdf
M201EW02 V8 ORIGINAL LCD Module M201EW02 V8.pdf
HONXUA403-MS01 ORIGINAL SMD or Through Hole HONXUA403-MS01.pdf
RT9198-22PV RichTek SOT-23 RT9198-22PV.pdf
1820-4370 INTEL SMD or Through Hole 1820-4370.pdf
VGV106M016S0ANB010 LUXON SMD or Through Hole VGV106M016S0ANB010.pdf
REC7.5-2412SRW/H2/AM RECOM SMD or Through Hole REC7.5-2412SRW/H2/AM.pdf
GW17M07VER03 SAMSUNG DIP-42 GW17M07VER03.pdf