창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6768T1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N6764,66,68,70T1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-254-3, TO-254AA(직선 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TO-254AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N6768T1 | |
관련 링크 | 2N67, 2N6768T1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RMCF1206FT6M19 | RES SMD 6.19M OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FT6M19.pdf | |
![]() | CSC04A0320K0GPA | RES ARRAY 2 RES 20K OHM 4SIP | CSC04A0320K0GPA.pdf | |
![]() | TCO-5814R-194C | TCO-5814R-194C TOYOCOM SMD or Through Hole | TCO-5814R-194C.pdf | |
![]() | M51522P | M51522P MIT SJP7P | M51522P.pdf | |
![]() | 3DJ2G | 3DJ2G ORIGINAL SMD or Through Hole | 3DJ2G.pdf | |
![]() | WP-91144L18(30CPQ150) | WP-91144L18(30CPQ150) IR TO-247AC | WP-91144L18(30CPQ150).pdf | |
![]() | LTC2751IUHF-12#TRPBF | LTC2751IUHF-12#TRPBF LT QFN | LTC2751IUHF-12#TRPBF.pdf | |
![]() | LH0086Z80-SI0/2 | LH0086Z80-SI0/2 SHARP DIP | LH0086Z80-SI0/2.pdf | |
![]() | NCV8800HDW33R2 | NCV8800HDW33R2 ON SOP16 | NCV8800HDW33R2.pdf | |
![]() | MD8216A | MD8216A INT DIP | MD8216A.pdf | |
![]() | LP3881S-1.8 | LP3881S-1.8 NS TO-263 | LP3881S-1.8.pdf |