창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6768 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N6764,66,68,70 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-204AE | |
공급 장치 패키지 | TO-3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N6768 | |
관련 링크 | 2N6, 2N6768 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | TPSD107K016H0125 | 100µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 125 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TPSD107K016H0125.pdf | |
![]() | ABLS3-6.000MHZ-D4Y-T | 6MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS3-6.000MHZ-D4Y-T.pdf | |
![]() | SIT3807AI-D-18EM | 1.544MHz ~ 49.152MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 31mA Enable/Disable | SIT3807AI-D-18EM.pdf | |
![]() | Y145458K0708V0L | RES 58.0708K OHM 0.6W 0.005% RAD | Y145458K0708V0L.pdf | |
![]() | S1R81006F00C1 | S1R81006F00C1 EPSON QFP | S1R81006F00C1.pdf | |
![]() | SS8B-01 1002-G | SS8B-01 1002-G IRC SOP-16 | SS8B-01 1002-G.pdf | |
![]() | 292-6.81K-RC | 292-6.81K-RC Xicon ThickFilmResistors | 292-6.81K-RC.pdf | |
![]() | ATTINY23B-20SU | ATTINY23B-20SU ATMEL SOP | ATTINY23B-20SU.pdf | |
![]() | AM25L273BPC | AM25L273BPC AMD DIP-20 | AM25L273BPC.pdf | |
![]() | PRDT12-4DO | PRDT12-4DO AUTONICS SMD or Through Hole | PRDT12-4DO.pdf | |
![]() | 6DI75P-160-50 | 6DI75P-160-50 FUJI SMD or Through Hole | 6DI75P-160-50.pdf | |
![]() | NLE-L101M50V10x16F | NLE-L101M50V10x16F NIC DIP | NLE-L101M50V10x16F.pdf |