창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6660 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6660 | |
| PCN 설계/사양 | New DeviceDoc 30/Mar/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | 3L TO-39 Qualification Assembly Site Update 22/Aug/2014 Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 410mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 24V | |
| 전력 - 최대 | 6.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-39 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 2N6660MC | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6660 | |
| 관련 링크 | 2N6, 2N6660 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | B43504B2567M | 560µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 230 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504B2567M.pdf | |
| MBRH20045 | DIODE MODULE 45V 200A D-67 | MBRH20045.pdf | ||
![]() | PM428S-100Y-RC | PM428S-100Y-RC Bourns SMD | PM428S-100Y-RC.pdf | |
![]() | KN6028218M5 | KN6028218M5 KELEN-SEMI SOT23-5 | KN6028218M5.pdf | |
![]() | 1206N681F101LG | 1206N681F101LG ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206N681F101LG.pdf | |
![]() | 09871# | 09871# AVAGO SIP-4 | 09871#.pdf | |
![]() | 9418DF-04 | 9418DF-04 N/A SOP | 9418DF-04.pdf | |
![]() | 3CG1C | 3CG1C CHINA TO-18 | 3CG1C.pdf | |
![]() | SSK70742QE.B2 | SSK70742QE.B2 INTEL SMD or Through Hole | SSK70742QE.B2.pdf | |
![]() | CFX455E | CFX455E MURATA DIP5 | CFX455E.pdf | |
![]() | ZMM5245B-7 15V | ZMM5245B-7 15V DIODES LL34 | ZMM5245B-7 15V.pdf | |
![]() | VV5353T | VV5353T ST QFP | VV5353T.pdf |