창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6387G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N6387, 88 | |
PCN 설계/사양 | TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Bipolar Power Transistor TO220 PkgAssembly & Test 16/Oct/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1555 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 10A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1mA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V | |
전력 - 최대 | 2W | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 2N6387G-ND 2N6387GOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N6387G | |
관련 링크 | 2N63, 2N6387G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MBR16H60HE3/45 | DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AC | MBR16H60HE3/45.pdf | |
![]() | MCU08050C1202FP500 | RES SMD 12K OHM 1% 1/5W 0805 | MCU08050C1202FP500.pdf | |
![]() | CMF55958R00BEEA | RES 958 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55958R00BEEA.pdf | |
![]() | ADG794BRQZ-REEL7 | ADG794BRQZ-REEL7 ADI SSOP16 | ADG794BRQZ-REEL7.pdf | |
![]() | DSPIC30F3011-10I/PTB22 | DSPIC30F3011-10I/PTB22 Microchi SMD or Through Hole | DSPIC30F3011-10I/PTB22.pdf | |
![]() | 1P123-002W-007 | 1P123-002W-007 MOT TO3J | 1P123-002W-007.pdf | |
![]() | LMV751M5/NOP8LFP | LMV751M5/NOP8LFP NS SOT-23 | LMV751M5/NOP8LFP.pdf | |
![]() | SQV453226T-4R7M-N | SQV453226T-4R7M-N ORIGINAL SMD or Through Hole | SQV453226T-4R7M-N.pdf | |
![]() | ECWU2104JC9 | ECWU2104JC9 ORIGINAL SMD | ECWU2104JC9.pdf | |
![]() | MMZ2012Y152BT | MMZ2012Y152BT TDK SMD or Through Hole | MMZ2012Y152BT.pdf | |
![]() | IDT54AHCT374DB | IDT54AHCT374DB IDT SMD or Through Hole | IDT54AHCT374DB.pdf | |
![]() | FH1-89 FH1-G TE | FH1-89 FH1-G TE WJ SOT89 | FH1-89 FH1-G TE.pdf |