창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N5114JTXL02 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | - | |
| 전압 - 항복(V(BR)GSS) | - | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | - | |
| 전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
| 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 저항 - RDS(On) | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-206AA(TO-18) | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N5114JTXL02 | |
| 관련 링크 | 2N5114J, 2N5114JTXL02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 445C3XE27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XE27M00000.pdf | |
![]() | S0603-5N6G2E | 5.6nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 190 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-5N6G2E.pdf | |
![]() | F82C100H | F82C100H CHIPS SMD or Through Hole | F82C100H.pdf | |
![]() | TRR1B24S00D | TRR1B24S00D TTI DIP | TRR1B24S00D.pdf | |
![]() | 111CNQ045APBF | 111CNQ045APBF VISHAY N A | 111CNQ045APBF.pdf | |
![]() | SN57S373/BRA | SN57S373/BRA TI DIP | SN57S373/BRA.pdf | |
![]() | UM1400W | UM1400W AD SOP16 | UM1400W.pdf | |
![]() | MCC72/12 | MCC72/12 IXYS SMD or Through Hole | MCC72/12.pdf | |
![]() | SDH70N12P | SDH70N12P SW DO-5 | SDH70N12P.pdf | |
![]() | ID1215SA | ID1215SA XP SIP7 | ID1215SA.pdf | |
![]() | GE0256 | GE0256 ORIGINAL SMD or Through Hole | GE0256.pdf | |
![]() | DB1B | DB1B HARRIS SMD or Through Hole | DB1B.pdf |