창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N4857JTX02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | - | |
전압 - 항복(V(BR)GSS) | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | - | |
전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
저항 - RDS(On) | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-206AA(TO-18) | |
전력 - 최대 | - | |
표준 포장 | 40 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N4857JTX02 | |
관련 링크 | 2N4857, 2N4857JTX02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
445W2XD14M31818 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W2XD14M31818.pdf | ||
GP10G-4004-M3/54 | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL | GP10G-4004-M3/54.pdf | ||
RCP1206B82R0JTP | RES SMD 82 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B82R0JTP.pdf | ||
CMF551R6700FKEB | RES 1.67 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551R6700FKEB.pdf | ||
AT25640N-10SC | AT25640N-10SC ATMEL SOP8 | AT25640N-10SC.pdf | ||
HY29LV001BB | HY29LV001BB HYNIX IC | HY29LV001BB.pdf | ||
MDP1601-102G=4116R-002-102 | MDP1601-102G=4116R-002-102 DALE SMD or Through Hole | MDP1601-102G=4116R-002-102.pdf | ||
ADM8618SABKS-RL7 | ADM8618SABKS-RL7 AD SC70-4 | ADM8618SABKS-RL7.pdf | ||
LT1456CS8 | LT1456CS8 LINEAR SOP-8 | LT1456CS8.pdf | ||
17JE13250-02(D8A) | 17JE13250-02(D8A) ORIGINAL SMD or Through Hole | 17JE13250-02(D8A).pdf | ||
HD64F3039TE18VH8 | HD64F3039TE18VH8 HITACHI QFP | HD64F3039TE18VH8.pdf | ||
LTC1276 | LTC1276 LINEAR DIP | LTC1276.pdf |