창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N4118A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N/PN/SST4117A-4119A Series | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N채널 | |
| 전압 - 항복(V(BR)GSS) | 40V | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 80µA @ 10V | |
| 전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
| 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 1V @ 1nA | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3pF @ 10V | |
| 저항 - RDS(On) | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-206AF(TO-72) | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N4118A | |
| 관련 링크 | 2N41, 2N4118A 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 103-222H | 2.2µH Unshielded Inductor 310mA 1 Ohm Max 2-SMD | 103-222H.pdf | |
![]() | 45FR30E | RES 0.3 OHM 5W 1% AXIAL | 45FR30E.pdf | |
![]() | AT25160AY6-10YH-1.8 | AT25160AY6-10YH-1.8 ATMEAL QFN | AT25160AY6-10YH-1.8.pdf | |
![]() | T54LS151D2 | T54LS151D2 SGS CDIP | T54LS151D2.pdf | |
![]() | WBI9R15F | WBI9R15F VISHAY SMD or Through Hole | WBI9R15F.pdf | |
![]() | AM2148-45LC | AM2148-45LC AMD LLCC-18 | AM2148-45LC.pdf | |
![]() | MB7500MTR | MB7500MTR MB SOP16 | MB7500MTR.pdf | |
![]() | R60eI4220AA3 | R60eI4220AA3 KEMET SMD or Through Hole | R60eI4220AA3.pdf | |
![]() | CC08N220J302TB(3KV) | CC08N220J302TB(3KV) IHHEC SMD | CC08N220J302TB(3KV).pdf | |
![]() | F8584T | F8584T ORIGINAL SMD or Through Hole | F8584T.pdf | |
![]() | ST62965CM/RAB | ST62965CM/RAB STM SOP-28 | ST62965CM/RAB.pdf | |
![]() | NDI-06H-V | NDI-06H-V ORIGINAL DIP | NDI-06H-V.pdf |