창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ82D2E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 62.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ82D2E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ82D2E, 2EZ82D2E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]()  | 02011J0R5ZBSTR | 0.50pF Thin Film Capacitor 100V 0201 (0603 Metric) 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) | 02011J0R5ZBSTR.pdf | |
![]()  | SIT8008BC-22-33E-49.152000D | OSC XO 3.3V 49.152MHZ OE | SIT8008BC-22-33E-49.152000D.pdf | |
![]()  | SI4174DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC | SI4174DY-T1-GE3.pdf | |
![]()  | AD3310A3.3 | AD3310A3.3 AD SMD or Through Hole | AD3310A3.3.pdf | |
![]()  | AT27C010-45PI | AT27C010-45PI ATMEL SMD or Through Hole | AT27C010-45PI.pdf | |
![]()  | CX103D | CX103D SNY DIP20 | CX103D.pdf | |
![]()  | SSR89E58RD-40-C-PIE | SSR89E58RD-40-C-PIE SST DIP | SSR89E58RD-40-C-PIE.pdf | |
![]()  | 4549 382 | 4549 382 SONY SOP16 | 4549 382.pdf | |
![]()  | KFW317J | KFW317J TriGem SMD or Through Hole | KFW317J.pdf | |
![]()  | CBBP | CBBP ORIGINAL SMD or Through Hole | CBBP.pdf | |
![]()  | RM600HD-130S | RM600HD-130S ORIGINAL SMD or Through Hole | RM600HD-130S.pdf |