창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ82D10E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 62.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ82D10E3/TR8 | |
관련 링크 | 2EZ82D10, 2EZ82D10E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | HSZ681KAQBF0KR | 680pF 500V 세라믹 커패시터 Y5T 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HSZ681KAQBF0KR.pdf | |
![]() | 0034.1736 | FUSE GLASS 100MA 250VAC 3AB 3AG | 0034.1736.pdf | |
![]() | 416F300XXCDT | 30MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F300XXCDT.pdf | |
![]() | 375LB3C1536T | 153.6MHz LVDS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA Enable/Disable | 375LB3C1536T.pdf | |
![]() | RPC0603JT30R0 | RES SMD 30 OHM 5% 1/10W 0603 | RPC0603JT30R0.pdf | |
![]() | LFEC1E3T144C | LFEC1E3T144C LATTICE TQFP144 | LFEC1E3T144C.pdf | |
![]() | SI0060651A-R | SI0060651A-R VELA SMD or Through Hole | SI0060651A-R.pdf | |
![]() | GEMTWIN2006 | GEMTWIN2006 STM 7.2mm24 | GEMTWIN2006.pdf | |
![]() | RLZC9412 TE11D | RLZC9412 TE11D ROHM LL34 | RLZC9412 TE11D.pdf | |
![]() | 0402WL5R1KT | 0402WL5R1KT AmericanTechCeramics SMD or Through Hole | 0402WL5R1KT.pdf | |
![]() | TL084ACDRe4 (P/B) | TL084ACDRe4 (P/B) TI 3.9mm-14 | TL084ACDRe4 (P/B).pdf |