창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ8.2D10E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ8.2D10E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ8.2D10, 2EZ8.2D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SR405A473KAR | 0.047µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.400" L x 0.150" W(10.16mm x 3.81mm) | SR405A473KAR.pdf | |
![]() | ATS04ASM-1E | 4MHz ±30ppm 수정 시리즈 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS04ASM-1E.pdf | |
![]() | ADC603SH/MIL | ADC603SH/MIL BB SMD or Through Hole | ADC603SH/MIL.pdf | |
![]() | RT1S-ID08-24V-S | RT1S-ID08-24V-S NAIS/ SMD or Through Hole | RT1S-ID08-24V-S.pdf | |
![]() | D-UDK4 | D-UDK4 ORIGINAL SMD or Through Hole | D-UDK4.pdf | |
![]() | ADC08331IM | ADC08331IM NS SOP-8 | ADC08331IM.pdf | |
![]() | 790D106X0025B2YE3 | 790D106X0025B2YE3 Vishay SMD or Through Hole | 790D106X0025B2YE3.pdf | |
![]() | STC89LE516X2-90-C-PQJ | STC89LE516X2-90-C-PQJ ORIGINAL SMD or Through Hole | STC89LE516X2-90-C-PQJ.pdf | |
![]() | lfe2-12se-5f256c | lfe2-12se-5f256c LATTICE bga | lfe2-12se-5f256c.pdf | |
![]() | MBM29DL32TF-70TNC435 | MBM29DL32TF-70TNC435 FUJITSU N A | MBM29DL32TF-70TNC435.pdf | |
![]() | SUP85N0206 | SUP85N0206 VISHAY TO-220 | SUP85N0206.pdf | |
![]() | HT-604 | HT-604 ORIGINAL DIP | HT-604.pdf |