창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ62D10E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 62V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 47.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ62D10E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ62D10E, 2EZ62D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206A150JBGAT4X | 15pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A150JBGAT4X.pdf | |
| V07E25AUTO | VARISTOR 39V 800A DISC 7MM | V07E25AUTO.pdf | ||
| AON6290 | MOSFET N CH 100V 28A DFN5X6 | AON6290.pdf | ||
![]() | 5500R-474J | 470µH Unshielded Inductor 1.59A 393 mOhm Max 2-SMD | 5500R-474J.pdf | |
![]() | ICVE05051E250R101FR | ICVE05051E250R101FR INNOCHIP SMD | ICVE05051E250R101FR.pdf | |
![]() | C2022-Y | C2022-Y KEC TO-252(DPAK) | C2022-Y.pdf | |
![]() | K2702 | K2702 SanKen TO-220F | K2702.pdf | |
![]() | 1SS387(TPL3,F) | 1SS387(TPL3,F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS387(TPL3,F).pdf | |
![]() | VS82C53D | VS82C53D VOSSEL SSOP | VS82C53D.pdf | |
![]() | YC158TJR071K5 | YC158TJR071K5 YAGEO SMD | YC158TJR071K5.pdf | |
![]() | CLA65058 BW | CLA65058 BW ORIGINAL QFP | CLA65058 BW.pdf | |
![]() | RTO2122L | RTO2122L REALTE QFP | RTO2122L.pdf |