창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ6.2D10/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ6.2D10/TR8 | |
관련 링크 | 2EZ6.2D, 2EZ6.2D10/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
1025R-04G | 220nH Unshielded Molded Inductor 1.04A 140 mOhm Max Axial | 1025R-04G.pdf | ||
CAT25320VI-GT3 EEPROM 32K | CAT25320VI-GT3 EEPROM 32K CAT SMD or Through Hole | CAT25320VI-GT3 EEPROM 32K.pdf | ||
MB10102C-G | MB10102C-G Fujitsu DIP-16 | MB10102C-G.pdf | ||
MAX291EWE+ | MAX291EWE+ Maxim 16-SOIC W | MAX291EWE+.pdf | ||
TPA6019 | TPA6019 TI TSSOP | TPA6019.pdf | ||
TPD2007F(ELF) | TPD2007F(ELF) TOSHIBA SMD or Through Hole | TPD2007F(ELF).pdf | ||
AL103-A3 | AL103-A3 ALLAYER QFP2828-208 | AL103-A3.pdf | ||
Y2293 | Y2293 TI SSOP | Y2293.pdf | ||
4609X-101-114LF | 4609X-101-114LF BOURNS DIP | 4609X-101-114LF.pdf | ||
RT3T14U | RT3T14U IDC SOT-423 | RT3T14U.pdf | ||
MCM1876-1MB 1.000MHZ | MCM1876-1MB 1.000MHZ Q-TECH JINZHEN14 | MCM1876-1MB 1.000MHZ.pdf |