창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ43D5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5 - 2EZ200D5, e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 35옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 32.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 2EZ43D5DO41 2EZ43D5DO41MSTR 2EZ43D5DO41MSTR-ND 2EZ43D5MSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ43D5 | |
관련 링크 | 2EZ4, 2EZ43D5 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
IPI076N12N3GAKSA1 | MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3 | IPI076N12N3GAKSA1.pdf | ||
PE-1008CD220KTT | 22nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 120 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | PE-1008CD220KTT.pdf | ||
CRCW12108R87FNEA | RES SMD 8.87 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12108R87FNEA.pdf | ||
RT1220P-331-M | RES SMD 330 OHM 20% 1/10W 0805 | RT1220P-331-M.pdf | ||
PE2512FKF070R06L | RES SMD 0.06 OHM 1% 1W 2512 | PE2512FKF070R06L.pdf | ||
CPF1206B86R6E1 | RES SMD 86.6 OHM 0.1% 1/8W 1206 | CPF1206B86R6E1.pdf | ||
P87C5124 | P87C5124 INTEL ORIGINAL | P87C5124.pdf | ||
V15T16-CZ300A03-K | V15T16-CZ300A03-K HoneywellSensing SMD or Through Hole | V15T16-CZ300A03-K.pdf | ||
EXB24V683JX | EXB24V683JX ORIGINAL SMD or Through Hole | EXB24V683JX.pdf | ||
WR-L30PB-HF-HD-A1-E1200-M | WR-L30PB-HF-HD-A1-E1200-M JAE SMD or Through Hole | WR-L30PB-HF-HD-A1-E1200-M.pdf | ||
sl-350-s | sl-350-s ORIGINAL SMD or Through Hole | sl-350-s.pdf | ||
AM417 | AM417 AMG SOP-8 | AM417.pdf |