창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ33D5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5 - 2EZ200D5, e3 | |
| 카탈로그 페이지 | 1631 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 23옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 25.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 2EZ33D5DO41 2EZ33D5DO41MSTR 2EZ33D5DO41MSTR-ND 2EZ33D5MSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ33D5 | |
| 관련 링크 | 2EZ3, 2EZ33D5 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F360X2IDT | 36MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F360X2IDT.pdf | |
![]() | VS-40CTQ150STRR-M3 | DIODE SCHOTTKY 150V 20A D2PAK | VS-40CTQ150STRR-M3.pdf | |
![]() | SST3.5A125V | SST3.5A125V bei 1808 | SST3.5A125V.pdf | |
![]() | LTP-3862E | LTP-3862E LITEON ROHS | LTP-3862E.pdf | |
![]() | 24aa32a-i-st | 24aa32a-i-st microchip SMD or Through Hole | 24aa32a-i-st.pdf | |
![]() | AFOW | AFOW ORIGINAL QFN | AFOW.pdf | |
![]() | 5015944011 | 5015944011 MLX na | 5015944011.pdf | |
![]() | IRFU9120N-IR | IRFU9120N-IR ORIGINAL SMD or Through Hole | IRFU9120N-IR.pdf | |
![]() | 2SC4691R | 2SC4691R PANASONIC SMD or Through Hole | 2SC4691R.pdf | |
![]() | 796640-4 | 796640-4 TECONNECTIVITY CALL | 796640-4.pdf | |
![]() | HG62F75R55FN | HG62F75R55FN ORIGINAL QFP | HG62F75R55FN.pdf | |
![]() | 2SB813/K | 2SB813/K ORIGINAL TO-220 | 2SB813/K.pdf |