창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ30D5E3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 22.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ30D5E3/TR8 | |
| 관련 링크 | 2EZ30D5, 2EZ30D5E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ABM8G-16.384MHZ-B4Y-T3 | 16.384MHz ±30ppm 수정 10pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8G-16.384MHZ-B4Y-T3.pdf | |
![]() | RG2012V-4751-D-T5 | RES SMD 4.75K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012V-4751-D-T5.pdf | |
![]() | TEMSVB2D106M | TEMSVB2D106M NEC SMD or Through Hole | TEMSVB2D106M.pdf | |
![]() | 22400 | 22400 ORIGINAL SMD or Through Hole | 22400.pdf | |
![]() | 0603 475 M 10V | 0603 475 M 10V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603 475 M 10V.pdf | |
![]() | SM10N60 | SM10N60 SEMIMOS TO-220220F | SM10N60.pdf | |
![]() | MAX16033LLB23+ | MAX16033LLB23+ MAXIM uDFN | MAX16033LLB23+.pdf | |
![]() | BGJ802 | BGJ802 MIC/HG GBJ | BGJ802.pdf | |
![]() | MT9V011P11STC- | MT9V011P11STC- MT CLCC | MT9V011P11STC-.pdf | |
![]() | 33164 | 33164 ON SOP8 | 33164.pdf | |
![]() | 040256P 50V | 040256P 50V ORIGINAL SMD or Through Hole | 040256P 50V.pdf | |
![]() | LPS359-1521B0R006 | LPS359-1521B0R006 VITROHM SMD or Through Hole | LPS359-1521B0R006.pdf |