창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ30D/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 22.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ30D/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ30D, 2EZ30D/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385511100JPI2T0 | 1.1µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.630" W (41.50mm x 16.00mm) | MKP385511100JPI2T0.pdf | |
![]() | ASFLMPC-133.333MHZ-T3 | 133.333MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | ASFLMPC-133.333MHZ-T3.pdf | |
![]() | BCM857BS,135 | TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP | BCM857BS,135.pdf | |
![]() | N3561N | N3561N Epcos 5SIP(25Tube2kBox) | N3561N.pdf | |
![]() | SML-211WTT86J | SML-211WTT86J ROHM SMD LED | SML-211WTT86J.pdf | |
![]() | LXT9785HE | LXT9785HE INTRL QFP | LXT9785HE.pdf | |
![]() | MSP430F1121AIDWRD | MSP430F1121AIDWRD TI SOP | MSP430F1121AIDWRD.pdf | |
![]() | TAJF107M016R | TAJF107M016R AVX SMD or Through Hole | TAJF107M016R.pdf | |
![]() | C374T-WNS-W0-WH-29 | C374T-WNS-W0-WH-29 CREELTD SMD or Through Hole | C374T-WNS-W0-WH-29.pdf | |
![]() | GY28F008B3TA | GY28F008B3TA INTEL BGA | GY28F008B3TA.pdf | |
![]() | HE2W107M22035HA180 | HE2W107M22035HA180 SAMWHA SMD or Through Hole | HE2W107M22035HA180.pdf | |
![]() | NQ82003MCH QF22ES | NQ82003MCH QF22ES INTEL BGA | NQ82003MCH QF22ES.pdf |