창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ200D5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5 - 2EZ200D5, e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 900옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 152V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 2EZ200D5DO41 2EZ200D5DO41MSTR 2EZ200D5DO41MSTR-ND 2EZ200D5MSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ200D5 | |
| 관련 링크 | 2EZ2, 2EZ200D5 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D181GXAAJ | 180pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D181GXAAJ.pdf | |
![]() | LQH32CN3R3M53L | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 710mA 156 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | LQH32CN3R3M53L.pdf | |
![]() | BS-102B-12VDC | BS-102B-12VDC BESTAR SMD or Through Hole | BS-102B-12VDC.pdf | |
![]() | AT27C256R-25DM | AT27C256R-25DM ATMEL CWDIP | AT27C256R-25DM.pdf | |
![]() | WL2250 | WL2250 ORIGINAL SMD | WL2250.pdf | |
![]() | 2SC2926-S | 2SC2926-S SANYO TO92-X | 2SC2926-S.pdf | |
![]() | 218N03ZZA04 | 218N03ZZA04 ATI QFP | 218N03ZZA04.pdf | |
![]() | U83143-HE040H | U83143-HE040H KB KB | U83143-HE040H.pdf | |
![]() | SCP131 | SCP131 M HING CONTAINERS FOR | SCP131.pdf | |
![]() | IN5383 | IN5383 ON DO-41 | IN5383.pdf | |
![]() | EP2AGX45DF29C6N | EP2AGX45DF29C6N ALTERA BGA | EP2AGX45DF29C6N.pdf |