창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ200D10E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 900옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 152V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ200D10E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ200D10, 2EZ200D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008AI-22-33S-24.476000D | OSC XO 3.3V 24.476MHZ ST | SIT8008AI-22-33S-24.476000D.pdf | |
![]() | IXFH14N80 | MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 | IXFH14N80.pdf | |
![]() | T492B155M025BS | T492B155M025BS KEMET SMD or Through Hole | T492B155M025BS.pdf | |
![]() | D1720G | D1720G NEC SOP | D1720G.pdf | |
![]() | 1761613-5 | 1761613-5 ORIGINAL Connector | 1761613-5.pdf | |
![]() | P89C52X2BN | P89C52X2BN NXP DIP | P89C52X2BN .pdf | |
![]() | MX29LV800BBTI-90G | MX29LV800BBTI-90G MACRONIX TSOP | MX29LV800BBTI-90G.pdf | |
![]() | M74ALS30ADP | M74ALS30ADP MIT SMD or Through Hole | M74ALS30ADP.pdf | |
![]() | M37732S4BFP#U0 | M37732S4BFP#U0 RENESA SMD or Through Hole | M37732S4BFP#U0.pdf | |
![]() | CD214A-T30 | CD214A-T30 ORIGINAL SMD or Through Hole | CD214A-T30.pdf | |
![]() | UPB7437C | UPB7437C NEC DIP-14 | UPB7437C.pdf | |
![]() | RN739F T106 | RN739F T106 ROHM SOT-323 | RN739F T106.pdf |