창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-216BS2BFB21H IGP350M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 216BS2BFB21H IGP350M | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 216BS2BFB21H IGP350M | |
| 관련 링크 | 216BS2BFB21H, 216BS2BFB21H IGP350M 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | S1812-223H | 22µH Shielded Inductor 277mA 2.6 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-223H.pdf | |
![]() | RR0816P-2670-D-42A | RES SMD 267 OHM 0.5% 1/16W 0603 | RR0816P-2670-D-42A.pdf | |
![]() | AT1206DRD075K49L | RES SMD 5.49K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRD075K49L.pdf | |
![]() | FN1-0520S | FN1-0520S Lyson SMD or Through Hole | FN1-0520S.pdf | |
![]() | TEESVB1A476M8R | TEESVB1A476M8R NEC SMD or Through Hole | TEESVB1A476M8R.pdf | |
![]() | 202R29W102KU4E | 202R29W102KU4E ORIGINAL SMD or Through Hole | 202R29W102KU4E.pdf | |
![]() | LA6358 | LA6358 ORIGINAL DIP-8 | LA6358.pdf | |
![]() | EP3CLS150F780C8N | EP3CLS150F780C8N ALTERA BGA | EP3CLS150F780C8N.pdf | |
![]() | BAG287F | BAG287F ROHM NA | BAG287F.pdf | |
![]() | 2520-1R0 | 2520-1R0 TDK SMD or Through Hole | 2520-1R0.pdf | |
![]() | IRF4243CDFZ | IRF4243CDFZ IR SMD or Through Hole | IRF4243CDFZ.pdf | |
![]() | CNR14D391K | CNR14D391K CNR SMD or Through Hole | CNR14D391K.pdf |