창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2000-470-V-RC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2000 Series | |
| 3D 모델 | 2000-470-V-RC.stp | |
| PCN 설계/사양 | 2000 Series Multiple Changes Jul/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Bourns Inc. | |
| 계열 | 2000 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 토로이드 | |
| 소재 - 코어 | - | |
| 유도 용량 | 47µH | |
| 허용 오차 | ±15% | |
| 정격 전류 | 3.2A | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 64m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 주파수 - 테스트 | 1kHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사 | |
| 크기/치수 | 0.680" Dia x 0.410" W(17.27mm x 10.41mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 표준 포장 | 154 | |
| 다른 이름 | 2000470VRC | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2000-470-V-RC | |
| 관련 링크 | 2000-47, 2000-470-V-RC 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D4R7BXPAJ | 4.7pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D4R7BXPAJ.pdf | |
![]() | SI4483ADY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC | SI4483ADY-T1-GE3.pdf | |
![]() | CF14JT3K90 | RES 3.9K OHM 1/4W 5% CARBON FILM | CF14JT3K90.pdf | |
![]() | Y00074K00000B0L | RES 4K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00074K00000B0L.pdf | |
![]() | UPD74HC08GS-T2 | UPD74HC08GS-T2 NEC SMD or Through Hole | UPD74HC08GS-T2.pdf | |
![]() | MSW8533D | MSW8533D MSTARA BGA252 | MSW8533D.pdf | |
![]() | 8601402CA | 8601402CA LT DIP | 8601402CA.pdf | |
![]() | N12E-GE-A1 GF106-700-A1 | N12E-GE-A1 GF106-700-A1 NVIDIA BGA | N12E-GE-A1 GF106-700-A1.pdf | |
![]() | SQHX-1521 | SQHX-1521 synergymwave SMD or Through Hole | SQHX-1521.pdf | |
![]() | 1N5520ATR-1 | 1N5520ATR-1 MICROSEMI SMD | 1N5520ATR-1.pdf | |
![]() | SI4210BXM1R | SI4210BXM1R sil SMD or Through Hole | SI4210BXM1R.pdf |