창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1SV323,H3F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1SV323 | |
| 카탈로그 페이지 | 1651 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 가변 정전용량 다이오드(배리캡, 버랙터) | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 7.1pF @ 4V, 1MHz | |
| 정전 용량비 | 4.3 | |
| 용량비 조건 | C1/C4 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 10V | |
| 다이오드 유형 | 단일 | |
| Q @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | ESC | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 1SV323 (TPH3,F) 1SV323(TH3,F,T) 1SV323(TH3F,T) 1SV323(TH3F,T)-ND 1SV323(TPH3,F) 1SV323(TPH3F)TR 1SV323(TPH3F)TR-ND 1SV323,H3F(B 1SV323,H3F(T 1SV323FTR 1SV323FTR-ND 1SV323H3FTR 1SV323TPH3F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1SV323,H3F | |
| 관련 링크 | 1SV323, 1SV323,H3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D3R9CXPAP | 3.9pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D3R9CXPAP.pdf | |
![]() | ESR18EZPF3900 | RES SMD 390 OHM 1% 1/3W 1206 | ESR18EZPF3900.pdf | |
![]() | 3224W001504E | 3224W001504E BOURNS 3224-500K | 3224W001504E.pdf | |
![]() | 3587GX | 3587GX ORIGINAL BGA-40D | 3587GX.pdf | |
![]() | PEB4264-2VV1.2 | PEB4264-2VV1.2 INF Call | PEB4264-2VV1.2.pdf | |
![]() | blf2043f.112 | blf2043f.112 nxp SMD or Through Hole | blf2043f.112.pdf | |
![]() | R7002004UA | R7002004UA Powerex module | R7002004UA.pdf | |
![]() | MFBT-S69-9 | MFBT-S69-9 TEMIC QFP | MFBT-S69-9.pdf | |
![]() | HRM040AN03S | HRM040AN03S EMC SMD or Through Hole | HRM040AN03S.pdf | |
![]() | TPS54386PWR | TPS54386PWR TI TSSOP | TPS54386PWR.pdf | |
![]() | HM181124105-12 | HM181124105-12 ORIGINAL QFP | HM181124105-12.pdf |