창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1SV311(TPH3,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1SV311 | |
카탈로그 페이지 | 1651 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 가변 정전용량 다이오드(배리캡, 버랙터) | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
정전 용량 @ Vr, F | 5.45pF @ 4V, 1MHz | |
정전 용량비 | 2.1 | |
용량비 조건 | C1/C4 | |
전압 - 피크 역(최대) | 10V | |
다이오드 유형 | 단일 | |
Q @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | ESC | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 1SV311 (TPH3,F) 1SV311(TH3,F) 1SV311(TH3,F,T) 1SV311(TH3,F,T)-ND 1SV311(TH3F)TR 1SV311(TH3F)TR-ND 1SV311(TPH3F)TR 1SV311FTR 1SV311FTR-ND 1SV311TPH3F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1SV311(TPH3,F) | |
관련 링크 | 1SV311(T, 1SV311(TPH3,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | CRCW060343K0JNTA | RES SMD 43K OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW060343K0JNTA.pdf | |
![]() | HD44277P | HD44277P HITACHI DIP | HD44277P.pdf | |
![]() | ORION C1 | ORION C1 INFINEON QFP | ORION C1.pdf | |
![]() | 10YXH1000M8X20 | 10YXH1000M8X20 RUBYCON DIP | 10YXH1000M8X20.pdf | |
![]() | 156M06AH | 156M06AH AVX SMD or Through Hole | 156M06AH.pdf | |
![]() | D86CQ4 | D86CQ4 ORIGINAL SMD or Through Hole | D86CQ4.pdf | |
![]() | CYP15G0401DXA-BGC | CYP15G0401DXA-BGC CYPRESS BGA | CYP15G0401DXA-BGC.pdf | |
![]() | ERA-66SM+ | ERA-66SM+ Mini-Circuits SMT86 | ERA-66SM+.pdf | |
![]() | 1820-5564 | 1820-5564 NS SOP14 | 1820-5564.pdf | |
![]() | MAR-1SM-TR1 | MAR-1SM-TR1 ORIGINAL SMT86 | MAR-1SM-TR1.pdf | |
![]() | WPIXP2350AE(900/900) | WPIXP2350AE(900/900) INTEL SMD or Through Hole | WPIXP2350AE(900/900).pdf | |
![]() | LMUN5214DW1T1G | LMUN5214DW1T1G LRC SOT363 | LMUN5214DW1T1G.pdf |