창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1SV308(TH3,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1SV308 | |
카탈로그 페이지 | 1651 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 30V | |
전류 - 최대 | 50mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.5pF @ 1V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 1.5옴 @ 10mA, 100MHz | |
내전력(최대) | - | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | ESC | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1SV308(TH3F)CT 1SV308FCT 1SV308FCT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1SV308(TH3,F) | |
관련 링크 | 1SV308(, 1SV308(TH3,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | F1206HI3000V032M | F1206HI3000V032M AEM SMD or Through Hole | F1206HI3000V032M.pdf | |
![]() | C1608X5R0J106MT000N | C1608X5R0J106MT000N TDK SMD or Through Hole | C1608X5R0J106MT000N.pdf | |
![]() | KD2008-CG5OA | KD2008-CG5OA ROHM DIPSOP | KD2008-CG5OA.pdf | |
![]() | RT8561BGQW | RT8561BGQW RICHTEK QFN | RT8561BGQW.pdf | |
![]() | LM223K/883 | LM223K/883 NS TO-3 | LM223K/883.pdf | |
![]() | MAX3203EEBT-T | MAX3203EEBT-T MAX BGA5 | MAX3203EEBT-T.pdf | |
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![]() | LM1310MB290SD | LM1310MB290SD rft SMD or Through Hole | LM1310MB290SD.pdf | |
![]() | CKG45NX7S2A685M500JA | CKG45NX7S2A685M500JA TDK SMD or Through Hole | CKG45NX7S2A685M500JA.pdf | |
![]() | BU326AL | BU326AL ORIGINAL TO-3 | BU326AL.pdf | |
![]() | 62353-4 | 62353-4 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 62353-4.pdf | |
![]() | CDT3351-05 | CDT3351-05 ORIGINAL DIP | CDT3351-05.pdf |