창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1SV308(TH3,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1SV308 | |
카탈로그 페이지 | 1651 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 30V | |
전류 - 최대 | 50mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.5pF @ 1V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 1.5옴 @ 10mA, 100MHz | |
내전력(최대) | - | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | ESC | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1SV308(TH3F)CT 1SV308FCT 1SV308FCT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1SV308(TH3,F) | |
관련 링크 | 1SV308(, 1SV308(TH3,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
GRM1886T1H9R1DD01D | 9.1pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886T1H9R1DD01D.pdf | ||
S1812R-184J | 180µH Shielded Inductor 153mA 8.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | S1812R-184J.pdf | ||
PESD7V0S1UL | PESD7V0S1UL NXP SOD923 | PESD7V0S1UL.pdf | ||
TC1427 | TC1427 ORIGINAL SOP | TC1427.pdf | ||
SP6648CU | SP6648CU PCS SMD or Through Hole | SP6648CU.pdf | ||
BSM300GA160DN2 | BSM300GA160DN2 EUPEC 1IGBT | BSM300GA160DN2.pdf | ||
HZU5.1B2 | HZU5.1B2 RENESAS SOD323 | HZU5.1B2.pdf | ||
02CZ14-X | 02CZ14-X TOSHIBA SOT23 | 02CZ14-X.pdf | ||
SFC959JH001 | SFC959JH001 ORIGINAL SMD or Through Hole | SFC959JH001.pdf | ||
CKG45B2H471KYR | CKG45B2H471KYR TDK SMD or Through Hole | CKG45B2H471KYR.pdf | ||
NMC0805NPO121J50TRP | NMC0805NPO121J50TRP NICCOMPONENTS SMD or Through Hole | NMC0805NPO121J50TRP.pdf | ||
PKA4211C | PKA4211C ERICSSON SMD or Through Hole | PKA4211C.pdf |