창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1SV281TH3FT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1SV281 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 가변 정전용량 다이오드(배리캡, 버랙터) | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
정전 용량 @ Vr, F | 8.7pF @ 4V, 1MHz | |
정전 용량비 | 2 | |
용량비 조건 | C1/C4 | |
전압 - 피크 역(최대) | 10V | |
다이오드 유형 | 단일 | |
Q @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | ESC | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1SV281FCT 1SV281FCT-ND 1SV281TH3FTCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1SV281TH3FT | |
관련 링크 | 1SV281, 1SV281TH3FT 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
SE051C825KAR | 8.2µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.500" L x 0.500" W(12.70mm x 12.70mm) | SE051C825KAR.pdf | ||
![]() | CC1206ZRY5V9BB684 | 0.68µF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206ZRY5V9BB684.pdf | |
![]() | 2N5190G | TRANS NPN 40V 4A TO-225AA | 2N5190G.pdf | |
![]() | HSMT-C265 | HSMT-C265 AVAGO 1206 | HSMT-C265.pdf | |
![]() | 4430N | 4430N ORIGINAL SOP8 | 4430N.pdf | |
![]() | STP13N60FI | STP13N60FI ST TO-220 | STP13N60FI.pdf | |
![]() | RJP4007ANS-00Q6 | RJP4007ANS-00Q6 RENESAS SMD or Through Hole | RJP4007ANS-00Q6.pdf | |
![]() | 7454N | 7454N TI DIP | 7454N.pdf | |
![]() | ITE6322-18 | ITE6322-18 ITE SOT23-3 | ITE6322-18.pdf | |
![]() | MSP3410G C12 | MSP3410G C12 MICRONAS QFP80 | MSP3410G C12.pdf | |
![]() | CR01-103J | CR01-103J ORIGINAL SMD or Through Hole | CR01-103J.pdf |