창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1SV229TPH3F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1SV229 | |
카탈로그 페이지 | 1651 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 가변 정전용량 다이오드(배리캡, 버랙터) | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
정전 용량 @ Vr, F | 6.5pF @ 10V, 1MHz | |
정전 용량비 | 2.5 | |
용량비 조건 | C2/C10 | |
전압 - 피크 역(최대) | 15V | |
다이오드 유형 | 단일 | |
Q @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | USC | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 1SV229(TPH3,F) 1SV229(TPH3,F)-ND 1SV229FTR 1SV229FTR-ND 1SV229TPH3FTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1SV229TPH3F | |
관련 링크 | 1SV229, 1SV229TPH3F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D5R1DLCAC | 5.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D5R1DLCAC.pdf | |
![]() | 416F44022ITR | 44MHz ±20ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44022ITR.pdf | |
![]() | SG-636PCE 33.3333MC0:ROHS | 33.3333MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 9mA Enable/Disable | SG-636PCE 33.3333MC0:ROHS.pdf | |
![]() | TD-15.000MCE-T | 15MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V Enable/Disable | TD-15.000MCE-T.pdf | |
![]() | ES3B-01 | ES3B-01 FSC Call | ES3B-01.pdf | |
![]() | BF550.215 | BF550.215 NXP SMD or Through Hole | BF550.215.pdf | |
![]() | ADR435A | ADR435A AD SOP-8 | ADR435A.pdf | |
![]() | ERA92-02SC | ERA92-02SC FUJI DIP | ERA92-02SC.pdf | |
![]() | 80C196RB-12 | 80C196RB-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | 80C196RB-12.pdf | |
![]() | THS6032CDWPR | THS6032CDWPR TI SOP | THS6032CDWPR.pdf | |
![]() | SC541055CP-2J53W | SC541055CP-2J53W MOT SMD or Through Hole | SC541055CP-2J53W.pdf |