창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1PMT5947BE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 160옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 62.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
표준 포장 | 12,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1PMT5947BE3/TR13 | |
관련 링크 | 1PMT5947B, 1PMT5947BE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 102S42E120GV4E | 12pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E120GV4E.pdf | |
![]() | 9C25070001 | 25MHz ±50ppm 수정 16pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C25070001.pdf | |
![]() | MCS0402MD1022BE100 | RES SMD 10.2KOHM 0.1% 1/10W 0402 | MCS0402MD1022BE100.pdf | |
![]() | AVS302N-R | AVS302N-R IDEC SMD or Through Hole | AVS302N-R.pdf | |
![]() | UDA1325H/N104(TSTDTS) | UDA1325H/N104(TSTDTS) PHILIPS ORIGINAL | UDA1325H/N104(TSTDTS).pdf | |
![]() | H5TQ1G63AFR-G7C | H5TQ1G63AFR-G7C HYNIX BGA | H5TQ1G63AFR-G7C.pdf | |
![]() | RN-270M | RN-270M Roving Onlyoriginal | RN-270M.pdf | |
![]() | C231D | C231D GE SMD or Through Hole | C231D.pdf | |
![]() | 97P8151PQ | 97P8151PQ IBM TQFP | 97P8151PQ.pdf | |
![]() | HFC-1608C-3N3J | HFC-1608C-3N3J MAGLayers SMD | HFC-1608C-3N3J.pdf |