창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1PMT5941E3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 67옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 35.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
표준 포장 | 12,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1PMT5941E3/TR13 | |
관련 링크 | 1PMT5941E, 1PMT5941E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 445W35G20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W35G20M00000.pdf | |
TYS6045101M-10 | 100µH Shielded Inductor 800mA 433 mOhm Nonstandard | TYS6045101M-10.pdf | ||
![]() | MCR10EZHF1023 | RES SMD 102K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF1023.pdf | |
![]() | CMF507K1500BHEB | RES 7.15K OHM 1/4W .1% AXIAL | CMF507K1500BHEB.pdf | |
![]() | LTLUE3 | LTLUE3 LT MSOP8 | LTLUE3.pdf | |
![]() | TIBPAL16R6-16CM | TIBPAL16R6-16CM TI DIP | TIBPAL16R6-16CM.pdf | |
![]() | HT131 | HT131 XG SMD or Through Hole | HT131.pdf | |
![]() | B57153S0330M051 | B57153S0330M051 EPC SMD or Through Hole | B57153S0330M051.pdf | |
![]() | SC29312VG | SC29312VG MOTOROLA BGA | SC29312VG.pdf | |
![]() | STW16NA40 | STW16NA40 ST SMD or Through Hole | STW16NA40.pdf | |
![]() | KPD1803K | KPD1803K KYOSEMI DIP2DIP18TO | KPD1803K.pdf | |
![]() | TPSY477K002S0100 | TPSY477K002S0100 AVX SMD or Through Hole | TPSY477K002S0100.pdf |