창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1PMT5940C/TR7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 53옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 32.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1PMT5940C/TR7 | |
관련 링크 | 1PMT594, 1PMT5940C/TR7 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CX3225CA32000D0HSSZ1 | 32MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD | CX3225CA32000D0HSSZ1.pdf | |
![]() | CMF553M3200GNEA | RES 3.32M OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF553M3200GNEA.pdf | |
![]() | GS88236BB-250I | GS88236BB-250I GTE SMD or Through Hole | GS88236BB-250I.pdf | |
![]() | IS66WV25616BLL-55TLI | IS66WV25616BLL-55TLI ISSI SMD or Through Hole | IS66WV25616BLL-55TLI.pdf | |
![]() | LM747MJ | LM747MJ ORIGINAL SMD or Through Hole | LM747MJ.pdf | |
![]() | PF0580.102NL | PF0580.102NL PUL TW31 | PF0580.102NL.pdf | |
![]() | R1121N351B-TR-FA | R1121N351B-TR-FA RICOH SOT-153 | R1121N351B-TR-FA.pdf | |
![]() | MB1A3421 | MB1A3421 ORIGINAL DIP | MB1A3421.pdf | |
![]() | MURD312 | MURD312 ON SOT-252 | MURD312.pdf | |
![]() | LC307PYO1-30Q-A | LC307PYO1-30Q-A TOSHIBA ROHS | LC307PYO1-30Q-A.pdf | |
![]() | MIC29371BT | MIC29371BT MIC TO-220-5 | MIC29371BT.pdf | |
![]() | HYPS56162AFP-25 | HYPS56162AFP-25 ORIGINAL BGA | HYPS56162AFP-25.pdf |