창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1PMT5932A/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 15.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
표준 포장 | 12,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1PMT5932A/TR13 | |
관련 링크 | 1PMT5932, 1PMT5932A/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | GL080F33IET | 8MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL080F33IET.pdf | |
![]() | VS-20ETF12SPBF | DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK | VS-20ETF12SPBF.pdf | |
![]() | LLC01M | LLC01M GAGGIONE SMD or Through Hole | LLC01M.pdf | |
![]() | PMB4823RV11 | PMB4823RV11 INFINEON MSOP-10 | PMB4823RV11.pdf | |
![]() | GAL16V8D-7LD/883 | GAL16V8D-7LD/883 LAT DIP | GAL16V8D-7LD/883.pdf | |
![]() | VA-1212D01 | VA-1212D01 MOTIEN SIP4 | VA-1212D01.pdf | |
![]() | TA7809P | TA7809P TOSHIBA DIP-14 | TA7809P.pdf | |
![]() | MPZ1608S221A | MPZ1608S221A ORIGINAL SMD or Through Hole | MPZ1608S221A.pdf | |
![]() | AQV207A | AQV207A NAIS DIPSOP6 | AQV207A.pdf | |
![]() | UDZTE-17 5.1B | UDZTE-17 5.1B ORIGINAL SOD323 | UDZTE-17 5.1B.pdf | |
![]() | BZV85-C13133 | BZV85-C13133 NXP SMD or Through Hole | BZV85-C13133.pdf |