창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT5919E3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1PMT5913B-1PMT5956B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216AA | |
| 표준 포장 | 12,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT5919E3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1PMT5919E, 1PMT5919E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CGA6L2X8R1E155K160AA | 1.5µF 25V 세라믹 커패시터 X8R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6L2X8R1E155K160AA.pdf | |
![]() | 18121C224JAZ4A | 0.22µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.126" W(4.57mm x 3.20mm) | 18121C224JAZ4A.pdf | |
![]() | 1544508-1 | 1544508-1 Tyco con | 1544508-1.pdf | |
![]() | LM1602T | LM1602T YOUTH SMD or Through Hole | LM1602T.pdf | |
![]() | T082II | T082II CHA DIP | T082II.pdf | |
![]() | 0805 6.8UH K | 0805 6.8UH K TASUND SMD or Through Hole | 0805 6.8UH K.pdf | |
![]() | KP450/256 | KP450/256 BGA INTEL | KP450/256.pdf | |
![]() | U1FWJ44NTE12LQ | U1FWJ44NTE12LQ TOSHIBA SMD or Through Hole | U1FWJ44NTE12LQ.pdf | |
![]() | 1206F226M100 | 1206F226M100 WALSIN SMD or Through Hole | 1206F226M100.pdf | |
![]() | TPS728185315DRVR(BYW) | TPS728185315DRVR(BYW) BB/TI QFN6 | TPS728185315DRVR(BYW).pdf | |
![]() | TESVSP1A225M8R(10V/2.2uF) | TESVSP1A225M8R(10V/2.2uF) NEC SMD or Through Hole | TESVSP1A225M8R(10V/2.2uF).pdf | |
![]() | HZ12C1(13.2-13.7V) | HZ12C1(13.2-13.7V) ORIGINAL DO-35 | HZ12C1(13.2-13.7V).pdf |