창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1PMT4112E3/TR7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1PMT46,40,41xxE3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWERMITE® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 13.37V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-216AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-216 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1PMT4112E3/TR7 | |
| 관련 링크 | 1PMT4112, 1PMT4112E3/TR7 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SIT3808AI-2-18NE | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 31mA | SIT3808AI-2-18NE.pdf | |
| AOWF10N60 | MOSFET N-CH 600V 10A TO262F | AOWF10N60.pdf | ||
![]() | TNPW0805162KBETA | RES SMD 162K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805162KBETA.pdf | |
![]() | LM6171ACN8 | LM6171ACN8 NS DIP8 | LM6171ACN8.pdf | |
![]() | 292C/K | 292C/K ORIGINAL SOP8 | 292C/K.pdf | |
![]() | DF15(4.5)-20DP-0.65(51) | DF15(4.5)-20DP-0.65(51) HRS SMD or Through Hole | DF15(4.5)-20DP-0.65(51).pdf | |
![]() | 20FLT-SM1-TB(N) | 20FLT-SM1-TB(N) JST SMD or Through Hole | 20FLT-SM1-TB(N).pdf | |
![]() | KTC4077-BL | KTC4077-BL KEC SOT-323 | KTC4077-BL.pdf | |
![]() | 150MRS24X5LC | 150MRS24X5LC MR DIP9 | 150MRS24X5LC.pdf | |
![]() | W-201-32-NX5032SA(13MHZ) | W-201-32-NX5032SA(13MHZ) NIHON SMD or Through Hole | W-201-32-NX5032SA(13MHZ).pdf | |
![]() | YW1B-V4E02R | YW1B-V4E02R ORIGINAL SMD or Through Hole | YW1B-V4E02R.pdf | |
![]() | C0603X5R1E222K00T | C0603X5R1E222K00T TDK SMD or Through Hole | C0603X5R1E222K00T.pdf |