창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N968B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N957B(-1)-1N992B(-1),e3 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 15.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-7 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1N968BMS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N968B | |
관련 링크 | 1N9, 1N968B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
ABM8-24.576MHZ-B2-T3 | 24.576MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8-24.576MHZ-B2-T3.pdf | ||
RP73PF1J18R2BTDF | RES SMD 18.2 OHM 0.1% 1/6W 0603 | RP73PF1J18R2BTDF.pdf | ||
LTST-C195KGJRKT-5A | LTST-C195KGJRKT-5A LON VL-SMD | LTST-C195KGJRKT-5A.pdf | ||
RR0510S-5R1-J | RR0510S-5R1-J ORIGINAL SMD or Through Hole | RR0510S-5R1-J.pdf | ||
P4C149 | P4C149 ORIGINAL DIP | P4C149.pdf | ||
CR16B510JT | CR16B510JT RGA SMD or Through Hole | CR16B510JT.pdf | ||
YT2609 | YT2609 ORIGINAL SOT23-6 | YT2609.pdf | ||
MJ2840 | MJ2840 ON TO-3 | MJ2840.pdf | ||
PG290TS50/265AC | PG290TS50/265AC ORIGINAL SMD or Through Hole | PG290TS50/265AC.pdf | ||
KS2501-08 | KS2501-08 SAMSUNG SMD or Through Hole | KS2501-08.pdf | ||
ATM415N | ATM415N ORIGINAL DIP8 | ATM415N.pdf |