창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N8031-GA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N8031-GA | |
설계 리소스 | 1N8031-GA Spice Model | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 실리콘 카바이드 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 650V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
속도 | 회복 시간 없음 > 500mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 0ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 650V | |
정전 용량 @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-276AA | |
공급 장치 패키지 | TO-276 | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 250°C | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 1242-1118 1N8031GA | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N8031-GA | |
관련 링크 | 1N803, 1N8031-GA 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D3R3DXCAJ | 3.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D3R3DXCAJ.pdf | |
![]() | DP4RSC60D60 | Solid State Contactor SPST-NO (1 Form A) Hockey Puck | DP4RSC60D60.pdf | |
![]() | CMF5518K700FKR6 | RES 18.7K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5518K700FKR6.pdf | |
![]() | BUZ71A + | BUZ71A + infineon TO220 | BUZ71A +.pdf | |
![]() | TMX3639ML | TMX3639ML ORIGINAL DIP-40 | TMX3639ML.pdf | |
![]() | PG600J | PG600J PANJIT P-600 | PG600J.pdf | |
![]() | MN101C161AA | MN101C161AA YAMAHA QFP | MN101C161AA.pdf | |
![]() | TRJ0018NLE | TRJ0018NLE TRC RJ45 | TRJ0018NLE.pdf | |
![]() | HAT2196C | HAT2196C RENESAS SOT-363 | HAT2196C.pdf | |
![]() | 1-103056-0 | 1-103056-0 AMP ORIGINAL | 1-103056-0.pdf | |
![]() | FAR-F6EB-1G9600-B2BK-ZA | FAR-F6EB-1G9600-B2BK-ZA FUJI SMD or Through Hole | FAR-F6EB-1G9600-B2BK-ZA.pdf | |
![]() | DZ-2R5D207S57 | DZ-2R5D207S57 ELNA DIP | DZ-2R5D207S57.pdf |