창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N756A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N746-59A(-1,e3),1N4370-72A(-1,e3) | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AA, DO-7, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-7(DO-204AA) | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1N756AMS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N756A | |
관련 링크 | 1N7, 1N756A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SMF11A-E3-18 | TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO-219AB | SMF11A-E3-18.pdf | |
FDMC7672 | MOSFET N-CH 30V 8-MLP | FDMC7672.pdf | ||
![]() | S0402-27NG3S | 27nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 360 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-27NG3S.pdf | |
![]() | HS15 75R F | RES CHAS MNT 75 OHM 1% 15W | HS15 75R F.pdf | |
![]() | RT1206DRD07383KL | RES SMD 383K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD07383KL.pdf | |
![]() | STA51213TR-2MULF | STA51213TR-2MULF ST SMD or Through Hole | STA51213TR-2MULF.pdf | |
![]() | UC3846N #LFP | UC3846N #LFP TI SMD or Through Hole | UC3846N #LFP.pdf | |
![]() | 25320N SI27 | 25320N SI27 AT SOP8.S | 25320N SI27.pdf | |
![]() | 2028/ | 2028/ ICS SOP-8 | 2028/.pdf | |
![]() | BAV99(JG) | BAV99(JG) ROHM SMD or Through Hole | BAV99(JG).pdf | |
![]() | SL-1283 | SL-1283 SANYO DIP | SL-1283.pdf | |
![]() | UA78120 | UA78120 TI SMD or Through Hole | UA78120.pdf |