창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N741 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | * | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 130V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 650옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N741 | |
관련 링크 | 1N7, 1N741 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D330FXXAP | 33pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D330FXXAP.pdf | |
MRF6V14300HR3 | FET RF 100V 1.4GHZ NI780 | MRF6V14300HR3.pdf | ||
![]() | TLP541G-F | TLP541G-F TOSHIBA DIP6 | TLP541G-F.pdf | |
![]() | 9222326825 | 9222326825 HTG SMD or Through Hole | 9222326825.pdf | |
![]() | CEGMK325BJ155M | CEGMK325BJ155M TAIYO SMD or Through Hole | CEGMK325BJ155M.pdf | |
![]() | 33204 | 33204 MC SOP | 33204.pdf | |
![]() | TC5117400BSJ-60 | TC5117400BSJ-60 TOSHIBA SOJ | TC5117400BSJ-60.pdf | |
![]() | 5962-01-128-0795 | 5962-01-128-0795 AMD SMD or Through Hole | 5962-01-128-0795.pdf | |
![]() | LF80539GE0362ME | LF80539GE0362ME INT Call | LF80539GE0362ME.pdf | |
![]() | RCR3131-182NSM | RCR3131-182NSM RCR/ SOT89-3 | RCR3131-182NSM.pdf | |
![]() | PD55F100 | PD55F100 SANREX Call | PD55F100.pdf | |
![]() | MG100Q2YS42(EP) | MG100Q2YS42(EP) TOSHIBA SMD or Through Hole | MG100Q2YS42(EP).pdf |