창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N725 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 42옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N725 | |
| 관련 링크 | 1N7, 1N725 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RC0603FR-075K9L | RES SMD 5.9K OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-075K9L.pdf | |
![]() | RNF14BAE806R | RES 806 OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE806R.pdf | |
![]() | CAT28F512-15 | CAT28F512-15 CSI PLCC | CAT28F512-15.pdf | |
![]() | SM028.0BBHS1TB | SM028.0BBHS1TB JST SMD or Through Hole | SM028.0BBHS1TB.pdf | |
![]() | FDE210P | FDE210P FAIRCHLD BGA | FDE210P.pdf | |
![]() | TTSI016641BL-2 | TTSI016641BL-2 LSI BGA | TTSI016641BL-2.pdf | |
![]() | TX40N05M | TX40N05M TEXET TO-3 | TX40N05M.pdf | |
![]() | 0217.500M | 0217.500M ORIGINAL SMD or Through Hole | 0217.500M.pdf | |
![]() | AT49BV160B | AT49BV160B AT BGA | AT49BV160B.pdf | |
![]() | KT850A | KT850A GUS TO-220 | KT850A.pdf | |
![]() | B528QA05 | B528QA05 INTEL BGA | B528QA05.pdf |