창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N707A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.1V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 7.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N707A | |
| 관련 링크 | 1N7, 1N707A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | AB-37.500MEHE-T | 37.5MHz ±10ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | AB-37.500MEHE-T.pdf | |
![]() | IXFN50N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B | IXFN50N80Q2.pdf | |
![]() | APT34F100L | MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 | APT34F100L.pdf | |
![]() | HRG3216P-6982-B-T1 | RES SMD 69.8K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-6982-B-T1.pdf | |
![]() | D1740 | D1740 ORIGINAL TO220 | D1740.pdf | |
![]() | HFD4/12-LSR (257) | HFD4/12-LSR (257) ORIGINAL SMD or Through Hole | HFD4/12-LSR (257).pdf | |
![]() | LG046 N9 R57P2 | LG046 N9 R57P2 ORIGINAL NA | LG046 N9 R57P2.pdf | |
![]() | BSP61,115 | BSP61,115 NXPSemiconductors SOT-223 | BSP61,115.pdf | |
![]() | VA1K5ED6255 | VA1K5ED6255 SHARP SMD or Through Hole | VA1K5ED6255.pdf | |
![]() | MC9S12DP512MPVR2 | MC9S12DP512MPVR2 FREESCAL QFP | MC9S12DP512MPVR2.pdf | |
![]() | IRLML6402TRPBF+ | IRLML6402TRPBF+ IR SMD or Through Hole | IRLML6402TRPBF+.pdf |