창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6462US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6461-6468US | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 6V | |
| 전압 - 항복(최소) | 6.5V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 11V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 258A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | 500W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, B | |
| 공급 장치 패키지 | B, SQ-MELF | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6462US | |
| 관련 링크 | 1N64, 1N6462US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 3KP150C-B | TVS DIODE 150VWM 255.15VC P600 | 3KP150C-B.pdf | |
![]() | E3FA-BN11 2M | PLSTCM18,TRANS,0.5M,AX,NPN,PW | E3FA-BN11 2M.pdf | |
![]() | M58C659P | M58C659P MITSUBISHI DIP 14 | M58C659P.pdf | |
![]() | SC1009P | SC1009P POWER DIP-7L | SC1009P.pdf | |
![]() | SK6612ABRC | SK6612ABRC SKYMEDIBRAN BGA | SK6612ABRC.pdf | |
![]() | L234D | L234D ST TO220 | L234D.pdf | |
![]() | MLB-Z-321611 | MLB-Z-321611 NA 3216 | MLB-Z-321611.pdf | |
![]() | RFMT-18H-5M2 | RFMT-18H-5M2 RFPRIME SMD or Through Hole | RFMT-18H-5M2.pdf | |
![]() | BCX81 | BCX81 ORIGINAL to-92 | BCX81.pdf | |
![]() | RC2010FK-0712R1 | RC2010FK-0712R1 ORIGINAL SMD or Through Hole | RC2010FK-0712R1.pdf | |
![]() | APT447 | APT447 APT TO-3P | APT447.pdf | |
![]() | CS3361C | CS3361C ON SOP-16 | CS3361C.pdf |