창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6073US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N6073US-1N6071US | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 2.04V @ 9.4A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 30ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SQ-MELF, A | |
| 공급 장치 패키지 | D-5A | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 155°C | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6073US | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6073US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | B41890B5188M | 1800µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 36 mOhm @ 10kHz 15000 Hrs @ 105°C | B41890B5188M.pdf | |
![]() | RT0603FRE0759RL | RES SMD 59 OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRE0759RL.pdf | |
![]() | R1610N-8A1-B502-0H03 | R1610N-8A1-B502-0H03 HT SMD or Through Hole | R1610N-8A1-B502-0H03.pdf | |
![]() | LE82BWGR QL95ES | LE82BWGR QL95ES INTEL BGA | LE82BWGR QL95ES.pdf | |
![]() | T4FS | T4FS ORIGINAL SOT23-3 | T4FS.pdf | |
![]() | LTC6101HVACS5#PBF | LTC6101HVACS5#PBF LINEAR TSOT23-5 | LTC6101HVACS5#PBF.pdf | |
![]() | NJW1147M-TE1-#ZZZB | NJW1147M-TE1-#ZZZB NJRC SMD or Through Hole | NJW1147M-TE1-#ZZZB.pdf | |
![]() | IDT72V8985J | IDT72V8985J IDT PLCC | IDT72V8985J.pdf | |
![]() | NJM1458LD | NJM1458LD JRC SIP | NJM1458LD.pdf | |
![]() | LQG21NR12K10T1M | LQG21NR12K10T1M MURATA CHIPIND | LQG21NR12K10T1M.pdf | |
![]() | 55024 | 55024 MAGNETICS SMD or Through Hole | 55024.pdf | |
![]() | HZ6B3TD-Q | HZ6B3TD-Q Renesas SMD or Through Hole | HZ6B3TD-Q.pdf |